韩国半导体出口暴增近180%
受存储芯片需求旺盛推动，韩国7月出口同比增长近63%至989.9亿美元，创历史第二高单月纪录。半导体出口同比暴增179%至410亿美元，连续两个月突破400亿美元，AI数据中心投资带动对美出口显著增长。
最新动态
真3D DRAM仍需时日
Asianometry讨论真正三维堆叠DRAM的发展路径，指出其有望突破传统DRAM缩放瓶颈，但制造、散热、良率和成本仍是核心障碍。该方向与未来内存密度和AI算力系统容量相关，但短期内难以商业化落地。
Sharge推多功能便携SSD
The Verge评测称Sharge Disk Pro 2 Ultra不只是便携SSD，还集成4K HDMI扩展坞、USB-C Hub与磁吸固定设计，可服务笔记本、手机、掌机和Switch 2等设备。该产品偏消费级存储外设，亮点在于把高速存储与随身扩展坞合一。
单条DDR5游戏表现受关注
硬件测试显示，单条DDR5内存在游戏场景中的损失可能低于预期，AMD 3D V-Cache处理器降幅不到3%。报道还称单条DDR5可超过双通道DDR4，反映新平台内存带宽与缓存结构的综合影响。
三星称内存紧缺将延至2028
三星警告全球内存供应紧张可能持续到2028年，同时公司利润同比大幅增长19倍。AI服务器、HBM和高端存储需求被视为推动行业景气上行的关键因素。
浪潮发布AI数据操作系统
浪潮数据宣布从云计算和分布式存储服务商升级为AI基础设施服务商，并发布自研AI数据操作系统。该系统面向算力、算法、数据统一管理，采用“数据底座+算力引擎”架构，包含全闪原生布局、多芯多模推理引擎和智能体运行环境等能力。
SK海力士首尔涨停
SK海力士在首尔股价涨幅扩大至30%，触及涨停。作为存储芯片龙头，其股价异动反映市场对半导体与AI存储链条的强烈关注。
全球手机出货二季度降6%
Omdia数据显示，2026年第二季度全球智能手机出货量同比下降6%至2.72亿部。存储器价格高企扰乱供应并推高元器件成本，迫使厂商调整定价、产品组合和渠道策略。
长鑫科技市值突破4万亿
长鑫科技股价盘中涨超13%，总市值突破4万亿元。作为国产存储芯片代表企业，其股价异动反映市场对半导体与存储板块的关注升温。
长鑫创始人拟奖员工56亿美元
长鑫相关创始人据称将在中国AI芯片公司IPO后向员工承诺约56亿美元激励。若消息属实，将体现国产存储与AI芯片企业在上市窗口期的人才绑定和资本激励力度。
亚马逊因内存成本上调资本开支
报道称亚马逊将2026年资本开支上调至2200亿美元，原因包括内存成本上升。该动态凸显AI基础设施扩张继续推高云厂商支出，并强化存储、内存供需紧张对行业投资的影响。
苹果营收增长遭内存短缺牵制
苹果三季度财报显示，iPhone和Mac销量继续增长，分别同比大涨22%和29%。但公司正受全球RAM短缺影响，已在6月上调多款Mac、iPad等产品价格，供应压力预计将持续到2027年及以后。
花旗称内存紧张到2027
SK海力士股价大涨逾15%，花旗称中国存储厂商短期难冲击市场，因DUV限制、EUV差距和良率问题仍存。机构预计内存供应紧张至少持续到2027年。
三星签下五大数据中心客户
三星电子称已与全球五大数据中心客户签订合同，并与五家AI相关大型客户的洽谈进入收尾阶段。公司预计云厂商扩大AI基础设施投资，将推动服务器、SSD与HBM需求继续增长，明年存储芯片供需紧张或加剧。
三星预计HBM4销售激增
三星电子预计三季度HBM4销售额将环比增长2倍以上，下半年HBM4将占HBM销售总额60%以上。公司目标是把HBM全球市占率提升至接近其DRAM市占率水平。
长江存储澄清NAND专利传闻
长江存储声明称，网传其核心3D NAND专利全部19项权利要求被裁定无效为严重误导。公司表示与美光的专利侵权诉讼仍在审理中，并将追究失实传播责任。
美股收跌存储板块大跌
美股三大指数集体收跌，道指跌2.19%、纳指跌1.74%、标普500跌1.52%。存储与芯片相关个股跌幅居前，美光近10%、闪迪超7%、迈威尔超6%，英伟达、英特尔等科技股亦下挫。
社区追忆英特尔Optane
社区文章回顾英特尔Optane，认为其低延迟持久内存特性本可缓解AI KV Cache与内存价格压力。内容偏技术评论，但切中存储与AI推理成本议题。
三星扩建华城DRAM产能
三星据称扩建华城晶圆厂以缓解DRAM产能瓶颈，目标到年底将产能提升约15%。在AI服务器与存储需求拉动下，DRAM供给能力成为存储产业链关注焦点。
三星筹备HBM5量产
三星据称正准备HBM5生产，并计划借助2nm工艺实现约50%的速度提升。HBM是AI加速器关键存储环节，若进展顺利将影响下一代AI算力平台竞争格局。