佰维存储拟最高2.5亿回购
佰维存储公告,董事长孙成思提议以2亿元至2.5亿元回购公司股份。回购价格上限不高于董事会审议前30个交易日均价的150%,且不超过558.44元/股。
佰维存储公告,董事长孙成思提议以2亿元至2.5亿元回购公司股份。回购价格上限不高于董事会审议前30个交易日均价的150%,且不超过558.44元/股。
据悉SK海力士正与英特尔谈判,拟收购其位于美国俄亥俄州的大型半导体园区,并计划在五年内于当地启动存储芯片前道工序生产。该交易仍处内部评估与政府审批阶段,价格和时间表尚未敲定。
TrendForce预计2027年NAND Flash供给增长将超过需求,并在下半年缓解当前供应紧张。该判断关系到SSD、手机存储和数据中心闪存价格走势,可能改变存储周期预期。
PCMag称中国存储厂商长鑫存储希望借全球内存紧缺窗口扩大消费级DDR6影响力。报道提到长鑫产能预计可能在年底超过美光,但仍面临监管等不确定因素。
三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作,已开始量产第十代V-NAND并供货,同时扩充V9产能。三星还在推进第十一代500层级V-NAND开发,月产能超过10万片。
威刚董事长警告DRAM供应短缺可能持续十年,反映AI服务器、HBM和高端内存需求对传统内存供给的挤压。若判断成立,内存价格、模组厂库存和终端硬件成本都将长期承压。
德国7月DDR5内存价格继续走高,多款台式机内存套装平均价格较去年同期上涨448%,较今年6月再涨7.1%。这表明消费端内存涨价仍在延续,零售价格尚未见顶。
TrendForce 指出,2026年 AI 需求爆发叠加 NAND Flash 产能增加有限,市场将呈现供给紧缺。展望2027年,随着供应商提升制程、供给位元增速未放缓,NAND Flash 紧张局面有望在下半年缓解。
Reddit 硬件社区讨论称,中国存储厂商长鑫存储晶圆月产量数年内从 4 万片增至 72 万片,规模快速接近美光。该进展反映国产 DRAM 产能扩张和全球存储竞争格局变化。
深圳存储芯片设计公司芯天下再次递表港交所,主打NOR Flash和SLC NAND Flash。受闪存周期反转和价格大涨带动,公司2026年一季度收入2.24亿元、净利润7588.9万元,毛利率升至55.6%。
供应链消息称,小米已将2026年智能手机出货目标从约9000万部上调至1.1亿部,增幅约16%,增量主要来自低端机型。接近小米人士称,上调与内部判断存储行情有望反转有关,此前存储芯片成本上涨曾压低出货目标。
长鑫科技公布网下发行获配结果,5家理财公司的29只产品合计获配超450万股,对应金额约3900万元。其网上个人投资者中签率约0.47%,机构认为理财产品成为部分投资者参与热门存储芯片新股的替代路径。
Reddit硬件社区讨论Micron、SK海力士和三星DRAM价格大幅上涨,并提到相关集体诉讼已提交、等待法院确认。若诉讼推进,可能牵动内存市场定价与反垄断争议。
星环科技创始人孙元浩在WAIC 2026介绍面向AI Agents的GPU原生认知数据库预览版,称AI时代数据库需从批量大数据处理转向低延迟、高并发的小规模连续调用。该产品试图围绕Agent执行链路重构数据库架构,但底层实现细节尚未披露。
兆易创新公告称,公司股票连续3个交易日跌幅偏离值累计超过20%,构成异常波动。经自查并询问控股股东、实际控制人,公司不存在应披露未披露的重大事项,生产经营正常。
韩国半导体板块在前期大涨后遭遇猛烈抛压,三星电子、SK海力士回调带动相关跨境ETF和杠杆产品剧烈波动。市场对AI存储超级周期的交易分歧升温,机构提示拥挤持仓和高杠杆风险。
长鑫科技披露首次公开发行股票网上中签结果,中签号码共7702207个,每个中签号码可认购500股A股。作为国内存储芯片企业,其IPO进展对存储产业链具备关注度。
SK海力士CEO表示,当前存储半导体价格处于“异常高”水平。该表态反映AI需求、HBM与传统内存供需紧张对存储价格的持续推升,也提示行业可能关注价格周期风险。
硬件社区关注新一代服务器内存进展,包括DDR5-8000 RDIMM以及达到DDR5-12800速率的第二代MRDIMM。相关技术面向数据中心和高性能计算场景,可提升内存带宽并缓解服务器算力平台的数据吞吐瓶颈。
AI数据中心对内存芯片的需求推高RAM和存储组件成本,印度智能手机市场已出现涨价压力。三星、SK海力士、美光等厂商将产能转向利润更高的HBM,挤压手机和笔记本常规内存供应,显示AI算力扩张正外溢至消费电子。