三星展示AI存储路线图
三星在FMS 2026公布面向AI基础设施的下一代存储路线图,首次展示zHBM、zNAND-O概念产品,并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方缩短传输距离,号称性能约为HBM5的8倍、密度超10倍。
事件进展(1 篇报道)
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2026-08-05 07:26
三星在FMS 2026公布面向AI基础设施的下一代存储路线图,首次展示zHBM、zNAND-O概念产品,并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方缩短传输距离,号称性能约为HBM5的8倍、密度超10倍。