DRAM短缺或推迟苹果iPhone 18 Pro芯片封装
据报道,价值约10亿美元的iPhone 18 Pro芯片因DRAM短缺滞留货架、等待封装,苹果新品发布计划可能因此受到影响。内存供应紧张正向智能手机芯片制造与交付环节传导。
据报道,价值约10亿美元的iPhone 18 Pro芯片因DRAM短缺滞留货架、等待封装,苹果新品发布计划可能因此受到影响。内存供应紧张正向智能手机芯片制造与交付环节传导。
爱范儿梳理称,AI需求与供需失衡推高内存、闪存和HBM价格,苹果压价长鑫未果反映存储厂商议价权上升。三星在FMS密集发布V10 BV-NAND、zHBM等近30项技术更新,行业竞争从产能扩张转向新标准和高性能架构争夺。
报道称,中国存储芯片厂商长鑫存储拒绝苹果的降价要求。华为、小米等厂商提前锁定其DRAM产能,使CXMT获得更强议价能力。
MacBook Air交付周期被曝拉长至8月末或9月,零售渠道称供应紧张程度罕见。报道称AI需求挤占全球内存、NAND、HBM与企业级SSD/HDD产能,部分存储订单已被锁定至2026年以后,消费电子可能从涨价进入缺货阶段。
Microchip与美光在2026年全球闪存峰会上展示端到端PCIe Gen 6存储架构。方案结合Switchtec PCIe Gen 6交换芯片与美光9650 NVMe SSD,面向AI、高性能计算和云数据中心提升吞吐、时延和扩展能力。
三星在FMS 2026公布面向AI基础设施的下一代存储路线图,首次展示zHBM、zNAND-O概念产品,并推出400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方缩短传输距离,号称性能约为HBM5的8倍、密度超10倍。
8月4日美股三大指数集体收涨,纳指涨2.59%、标普500涨1.79%、道指涨1.71%。光通信与存储板块表现强势,迈威尔、英特尔、闪迪、SK海力士、美光等显著上涨,大型科技股多数走高。
SK海力士与Sandisk公布首个HBF标准规格,并将在FMS 2026展示面向AI的存储解决方案。该技术指向AI系统对高带宽、大容量内存形态的持续需求。
TrendForce称DRAM供应紧张可能延续至2027年,并促使英伟达下调Rubin Ultra平台的HBM配置。该动向反映AI算力扩张与先进内存供给之间的压力仍在加剧。
TrendForce称DRAM供不应求可能延续至2027年,且HBM4e验证进度存在变量。英伟达已对Rubin Ultra并行评估多种HBM配置,部分云厂商也考虑下调下一代自研ASIC的HBM容量设计。
Counterpoint称,三星电子预计在2026年第二季度以39%的份额重回全球DRAM供应商第一。美光收入快速增长,有望超越SK海力士成为第二;后者受HBM定价和长期供货协议影响,份额下滑至26%。
长鑫科技全资持股的长鑫芯聚股权投资注册资本由约56.3亿元增至约61.3亿元。长鑫科技是国内存储芯片重要企业,此次增资显示其资本运作和产业投资平台继续扩容。
SK海力士与闪迪发布高带宽闪存HBF首个标准规范,定位于HBM与SSD之间的新型存储层级。规范支持8层和16层NAND堆叠,最高512GB容量,带宽覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
三星PCIe Gen 5 NVMe SSD 9100 Pro的2TB无散热片版本在亚马逊降至302.99美元,较常规价格低约100美元。文章认为在内存与SSD价格高企背景下,该容量相较1TB型号更具性价比。
雷克沙推出DDR5-7200 32GB内存套装,采用疑似长鑫存储国产DRAM颗粒,而非三星、海力士或美光方案。产品支持XMP和EXPO,标价约592美元,显示中国DRAM在高频消费级内存市场继续推进。
TrendForce预测,受供应短缺影响,第三季度PC DRAM固定交易价格将环比上涨15%至20%。机构称,云服务商服务器内存需求增加,内存厂商计划明年减少PC DRAM供应。
长鑫存储技术有限公司注册资本由约238.9亿元增至约313.9亿元,增幅约31%。公司由长鑫科技集团全资持股,业务涵盖集成电路设计、芯片及产品制造等。
日本铠侠计划今年量产面向下一代AI需求的标准NAND解决方案,包括PCIe 6.0和UFS 5.0产品。该进展体现存储厂商围绕AI终端与高速数据通道升级的布局。
据彭博Mark Gurman称,全球内存芯片短缺已影响苹果MacBook Air供应,部分配置在苹果官网交付时间延至8月下旬或9月。短缺主要由AI公司对存储芯片的旺盛需求推动,苹果正通过涨价和引入中国供应商缓解压力。
微软承诺让Windows 11在8GB内存设备上运行更流畅,并已开始降低系统内存占用。报道背景是内存供应紧张与终端设备成本压力上升。